DMN67D8LW-7

Diodes Incorporated推出的DMN67D8LW-7是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术构建，其核心设计旨在实现高效、可靠的信号切换与功率控制。其紧凑的SOT-323封装集成了高性能的硅片，在极小的占板面积内实现了优异的电气特性平衡，为空间受限的现代电子设备提供了理想的解决方案。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压，提供了良好的电压裕量，增强了系统在瞬态电压下的可靠性。其导通电阻在10V栅极驱动电压、500mA漏极电流条件下典型值仅为5欧姆，配合极低的栅极电荷，有效降低了开关过程中的导通损耗和驱动损耗，提升了整体能效。其阈值电压设计适中，确保了在标准逻辑电平下的可靠开启与关断，同时高达±30V的栅源电压耐受能力也提供了更强的栅极保护。

在接口与参数方面，DMN67D8LW-7的连续漏极电流在环境温度下额定为240mA，最大功耗为320mW。其输入电容极小，典型值在25V漏源电压下仅为22pF，这显著减少了驱动电路的需求并提升了高速开关性能。器件采用标准的表面贴装SOT-323封装，便于自动化生产，其宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取正品器件与技术支持。

凭借其小尺寸、低功耗和高可靠性的特点，这款MOSFET非常适合应用于便携式电子设备、电池管理系统、负载开关、信号路由以及各种低功率DC-DC转换器中。它常被用于驱动小型继电器、LED灯组或作为模拟开关，在空间和能效都至关重要的物联网节点、可穿戴设备及消费类电子产品中发挥着关键作用。

• 型号:DMN67D8LW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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