DMNH10H028SPS-13

作为一款高性能的功率开关器件，DMNH10H028SPS-13采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的沟槽工艺设计。这种设计在保证高耐压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现了优异的功率密度和效率。器件在结温高达175°C的宽温范围内仍能保持稳定的电气特性，这得益于其稳健的芯片设计和封装技术，确保了在严苛环境下的长期可靠性。

该器件的显著优势在于其卓越的导通性能与快速的开关特性。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至28毫欧（在20A条件下），这意味着在导通状态下能够有效降低功率损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为36nC，较低的栅极电荷需求使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围达到±20V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力，增强了系统鲁棒性。

在接口与关键参数方面，DIODES代理提供的这款器件具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和40A的连续漏极电流（Id）能力，为中等功率应用提供了充足的电压和电流裕量。其采用表面贴装型的PowerDI5060-8封装，该封装具有极低的热阻和出色的散热性能，有助于将芯片产生的热量高效地传导至PCB，允许在环境温度下实现高达1.6W的功率耗散。输入电容（Ciss）为2245pF，与低栅极电荷相结合，优化了驱动电路的设计复杂度。

凭借其综合性能，DMNH10H028SPS-13非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。例如，在DC-DC转换器中，尤其是同步整流和负载点（POL）转换器，其低导通电阻和快速开关特性能够显著提升转换效率。此外，在电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块中，它都能作为高效的功率开关元件，为工业自动化、消费电子和通信设备提供可靠的功率解决方案。

• 型号:DMNH10H028SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2245 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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