DMNH6008SPS-13

DMNH6008SPS-13是一款由Diodes Incorporated设计生产的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术。该器件集成于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装内，专为在严苛环境下实现高效率、高可靠性的功率开关与控制而设计。其核心架构优化了电流通路与热传导路径，显著降低了从芯片结到封装外壳的热阻，为高功率密度应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备优异的电气特性，其60V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在常见24V或48V总线系统中的稳定工作余量。在导通性能方面，器件在10V驱动电压下展现出极低的导通电阻，典型值低至8毫欧（@20A， 10V），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为40.1nC，结合适中的输入电容，使得开关速度更快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关应用。

在接口与参数层面，DMNH6008SPS-13支持宽泛的栅极驱动电压范围（最大±20V），并具有4V（最大值）的阈值电压，提供了良好的噪声抑制能力和易驱动性。其电流处理能力突出，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为16.5A，而在借助封装良好散热条件下（Tc），电流能力可高达88A，展现了强大的峰值负载承载潜力。器件的工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了其在工业与汽车级应用中的稳定性和耐用性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取正品器件与技术资料。

基于其高耐压、低内阻、快速开关及强大的电流处理能力，此MOSFET非常适合应用于要求严苛的功率转换领域。典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制模块（如电动工具、无人机电调）、以及汽车电子中的辅助驱动和电池管理系统（BMS）。PowerDI5060封装优异的散热性能使其在空间受限且对热管理有高要求的紧凑型设计中成为理想选择。

• 型号:DMNH6008SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.5A（Ta），88A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2597 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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