DMNH6011LK3Q-13

DMNH6011LK3Q-13是一款由Diodes Incorporated推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，专为在严苛的汽车电子环境中实现高可靠性运行而设计，符合AEC-Q101汽车级认证标准，确保其在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作。

其核心架构基于优化的沟槽工艺，实现了优异的导通电阻与栅极电荷平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值极低，在25A电流条件下最大值仅为12毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为49.1nC，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，简化驱动电路设计，并提升高频开关性能，使其在需要快速切换的应用中表现出色。

该器件具备55V的漏源击穿电压（Vdss）和高达80A（在特定壳温条件下）的连续漏极电流能力，提供了充足的电压和电流裕量。其阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，最大值在250A漏极电流下为2V，确保了在标准逻辑电平下即可被有效驱动，增强了设计的便利性。此外，其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±12V，提供了良好的栅极保护。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品，确保原装正品和供货稳定。

在接口与关键参数方面，除了优异的电气性能，其输入电容（Ciss）在30V漏源电压下最大值为3077pF，这一参数与栅极电荷共同决定了开关动态特性。器件采用表面贴装形式，便于自动化生产，其功率耗散能力在环境温度下为1.6W，在实际应用中需结合散热设计进行考量。这些特性使其成为汽车电子、工业电源以及各类电机驱动和负载开关系统中的理想选择，特别是在需要高电流处理能力、高效率和高可靠性的DC-DC转换器、电机控制模块及电池管理系统等应用场景中，能够显著提升系统整体性能和耐久性。

• 型号:DMNH6011LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3077 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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