DMT616MLSS-13

DMT616MLSS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的8引脚SO封装，集成了优化的单元结构，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其核心设计基于成熟的金属氧化物半导体工艺，确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性，为高效率功率转换提供了坚实的基础。

该MOSFET的关键电气特性使其在众多应用中表现出色。其漏源击穿电压(Vdss)高达60V，提供了充足的电压裕量，增强了系统在瞬态条件下的鲁棒性。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为10A，具备较强的电流处理能力。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压(Vgs)和8.5A漏极电流条件下，最大值仅为14毫欧，这一低导通损耗特性对于提升系统整体效率至关重要。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.2V，属于标准逻辑电平驱动，便于与主流微控制器或驱动IC直接接口，简化了驱动电路设计。

在动态性能方面，DMT616MLSS-13同样表现优异。在10V Vgs条件下，其总栅极电荷(Qg)最大值仅为13.6nC，输入电容(Ciss)在30V Vds时最大值为785pF。这些低电荷和电容参数共同决定了其快速的开关速度，有助于降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。器件的栅源电压(Vgs)可承受±20V的最大值，提供了良好的栅极保护能力。其最大允许功耗为1.39W (Ta)，工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。表面贴装型的8-SO封装符合现代自动化生产要求，便于集成到高密度PCB设计中。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关技术支持。

凭借其60V的耐压、10A的电流能力以及优异的开关特性，这款MOSFET非常适合用于需要高效功率管理的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑、电池保护电路中的负载开关，以及各类电源管理单元。它在服务器、通信设备、工业自动化、消费类电子产品的电源子系统设计中，都能作为关键功率开关元件，有效提升能效和功率密度。

• 型号:DMT616MLSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:785 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.39W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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