DMNH6012SPS-13

DMNH6012SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerDI5060-8封装。该器件专为要求高可靠性和高效率的汽车电子及工业应用设计，其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元设计和工艺制程，在紧凑的封装内实现了优异的电气与热性能平衡。其沟槽栅极结构有效降低了导通电阻和栅极电荷，为高频开关应用提供了坚实的基础。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的导通性能与快速开关能力。在10V栅极驱动电压下，其最大导通电阻（Rds(On)）低至11毫欧（@50A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为35.2nC（@10V），结合1926pF的输入电容（Ciss @30V），确保了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关损耗并提升工作频率。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了稳健的驱动鲁棒性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取该产品及相关服务。

在电气参数方面，DMNH6012SPS-13具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和高达50A的连续漏极电流（Id @ Tc=25°C）能力，使其能够从容应对汽车负载突降等瞬态高压场景以及大电流通路需求。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V（@250A），提供了良好的噪声抑制能力。器件采用表面贴装型PowerDI5060-8封装，该封装具有极低的热阻和优异的散热性能，最大结温（Tj）可达175°C，确保了在高温环境下的可靠运行与1.6W（Ta）的功率耗散能力。

凭借其AEC-Q101认证资格、宽工作温度范围（-55°C至175°C）以及出色的效率表现，此器件非常适用于对可靠性要求严苛的应用场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动、电池管理系统（BMS）中的负载开关与保护电路，以及工业电源中的DC-DC转换器同步整流和OR-ing功能。其紧凑的封装尺寸也为空间受限的现代电子设计提供了理想的解决方案。

• 型号:DMNH6012SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1926 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 现在可以订购DMNH6012SPS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。