DMNH6035SPDW-13

DMNH6035SPDW-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进PowerDI506封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件采用优化的沟槽式MOSFET架构，集成了两个性能一致的独立N沟道MOSFET于一个紧凑的封装内，旨在提供卓越的功率密度和开关效率。其设计重点在于降低导通损耗和栅极驱动需求，同时确保在高频开关应用中的稳定性和可靠性。

该芯片的核心优势体现在其低导通电阻与高电流处理能力的平衡上。在10V栅极驱动电压和15A漏极电流条件下，其导通电阻（RDS(on)）典型值仅为35毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（VGS(th)）最大值为3V，配合较低的栅极电荷（Qg）（最大值16nC @ 10V），意味着它能够被标准逻辑电平轻松驱动，并且开关速度快，开关损耗低，非常适合需要快速切换的PWM控制电路。

在电气参数方面，DIODES授权代理提供的技术资料显示，DMNH6035SPDW-13的漏源击穿电压（BVDSS）为60V，连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达33A。其输入电容（Ciss）为879pF，有助于简化栅极驱动电路的设计。器件采用热增强型表面贴装8-PowerTDFN封装，具有良好的散热性能，最大结温（TJ）高达175°C，在提供高达2.4W（环境温度）或68W（壳温）的功耗能力的同时，确保了在严苛环境下的稳定运行。

凭借其高性能和紧凑的封装，DMNH6035SPDW-13非常适用于空间受限且对效率要求高的现代电源管理系统。其典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动中的H桥或半桥拓扑、电池保护电路以及各类负载开关。它为设计工程师在41V至60V电压范围内的功率转换和开关应用中，提供了一个高效、可靠且节省空间的解决方案。

• 型号:DMNH6035SPDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（R 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:879pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.4W（Ta），68W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（R 类）
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