DMT67M8LCGQ-7

DMT67M8LCGQ-7是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，封装于紧凑的8引脚DFN（V-DFN3333-8）之中。该器件专为在严苛的汽车电子及工业环境中实现高效率的功率开关与控制而设计，其核心架构优化了单元密度与沟道电阻，从而在极低的导通电阻与快速的开关性能之间取得了卓越的平衡。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达60V，为12V或24V车载电源系统提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，其最大导通电阻（Rds(on)）在Vgs=10V， Id=20A的条件下低至5.7mΩ，这一极低的Rds(on)值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率，尤其在处理大电流时优势明显。其栅极驱动设计灵活，标准驱动电压为10V，同时支持低至4.5V的驱动，兼容多种逻辑电平，而栅极电荷（Qg）最大值仅为37.5nC，结合较低的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并提升高频应用下的性能。

在接口与参数方面，DIODES一级代理可提供全面的技术支持。该器件在环境温度（Ta）下的连续漏极电流额定值为16A，而在管壳温度（Tc）下可高达64.6A，展现了其强大的电流处理能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，完全满足汽车级应用对极端温度环境的要求。紧凑的DFN封装不仅提供了优异的散热性能（最大功耗900mW @ Tc），还节省了宝贵的PCB空间，非常适合于高密度设计。

基于其高可靠性、高效率和高功率密度的特点，DMT67M8LCGQ-7非常适用于需要稳健功率管理的应用场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、电池管理系统（BMS）中的保护电路，以及工业自动化中的DC-DC转换器、电源OR-ing和电机控制模块。其AEC-Q101认证确保了其在汽车动力总成、车身电子及高级驾驶辅助系统（ADAS）等关键子系统中的长期稳定运行。

• 型号:DMT67M8LCGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），64.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2130 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购DMT67M8LCGQ-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。