DMNH6042SPD-13

Diodes Incorporated推出的DMNH6042SPD-13是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，其设计旨在提供卓越的功率转换效率和开关性能。该器件采用紧凑的PowerDI5060-8封装，专为高功率密度应用而优化，其内部架构通过精密的芯片设计和封装工艺，实现了极低的寄生电感和电阻，这对于高频开关操作和降低导通损耗至关重要。

该MOSFET的核心优势在于其优异的电气特性组合。60V的漏源电压（Vdss）额定值使其能够稳健地应用于常见的12V至48V总线系统中。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至50毫欧（@5.1A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为8.8nC，配合适中的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频PWM控制场景。

在接口与可靠性参数上，DMNH6042SPD-13展现了高度的稳健性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的应力，增强了驱动电路的容错能力。该器件属于Automotive, AEC-Q101产品系列，通过了严格的汽车级认证，结温（Tj）工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的长期可靠性。其表面贴装型PowerDI5060封装不仅节省PCB空间，还提供了优异的热性能，有助于在环境温度（Ta）下实现1.2W的功率耗散，或在壳温（Tc）条件下支持高达24A的连续漏极电流。

凭借这些特性，DMNH6042SPD-13非常适合作为负载开关、电机驱动、DC-DC转换器中的同步整流或主开关管，广泛应用于汽车电子（如LED照明、泵控制）、工业电源及便携式设备的高效电源管理模块。对于需要高可靠性和高性能MOSFET解决方案的设计工程师，通过专业的DIODES芯片代理获取该器件，能够确保供应链的稳定并获得完整的技术支持。

• 型号:DMNH6042SPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.7A（Ta），24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 5.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:584 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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