DMT43M8LFV-13

DMT43M8LFV-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和先进的封装技术，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的平衡，从而在开关电源转换和电机控制等应用中提供高效率与低损耗。其核心设计聚焦于降低功率损耗，通过精细的工艺控制，使得在10V驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值可低至4毫欧，这一特性对于减少传导损耗至关重要。

该MOSFET具备40V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达87A的连续漏极电流（I_D）能力，确保了其在严苛的功率处理场景下的可靠性。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.5V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够与主流逻辑电平或标准PWM控制器轻松兼容，简化了驱动电路设计。同时，最大栅极电荷（Q_g）仅为44.4nC，结合3213pF的输入电容（C_iss），共同决定了其快速的开关特性，有助于降低开关损耗并提升系统整体频率响应。

在物理实现上，该器件采用表面贴装型的PowerDI3333-8（UX类）封装。这种紧凑的封装形式不仅提供了优异的散热性能和功率密度，还通过降低寄生电感来优化高频开关性能。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应工业级环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其参数组合，DMT43M8LFV-13非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的领域。典型应用包括同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和升降压拓扑）、电机驱动控制、电池保护电路以及各类负载开关。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为服务器电源、通信设备、电动工具和汽车辅助系统等中高功率场景中功率开关元件的理想选择。

• 型号:DMT43M8LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 87A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):87A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3213 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.25W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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