DMNH6042SPSQ-13

DMNH6042SPSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件采用PowerDI5060-8封装，这是一种专为高功率密度和卓越散热性能而优化的表面贴装型封装，其紧凑的尺寸使其非常适合空间受限的现代电子设备。

该MOSFET的核心优势在于其优异的导通性能与开关特性的平衡。其漏源电压（Vdss）高达60V，在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）可达24A，能够处理可观的功率等级。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和5.1A漏极电流条件下，最大值仅为50毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低，有助于提升系统整体效率并减少热管理负担。同时，其栅极电荷（Qg）在10V Vgs时最大值仅为8.8nC，较低的栅极电荷有助于实现快速开关和降低驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在电气参数方面，该器件展现了宽泛的工作适应性和鲁棒性。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了安全的驱动裕量。阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，确保了与常见逻辑电平或驱动电路的兼容性。输入电容（Ciss）在25V Vds下最大值为584pF，结合低栅极电荷，共同优化了开关动态性能。器件的工作结温范围极宽，为-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，通过可靠的DIODES一级代理进行采购是保障项目顺利进行的关键环节之一。

基于其性能特点，DMNH6042SPSQ-13非常适合应用于需要高效率功率转换和管理的场景。典型应用包括直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类电源中的负载开关。其PowerDI5060-8封装优异的散热能力，使其在紧凑的电路板布局中也能维持稳定的高性能输出，是工程师设计高可靠性、高功率密度电源解决方案时的优选器件。

• 型号:DMNH6042SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 5.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:584 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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