DMP1011LFV-7

DMP1011LFV-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在紧凑的封装内提供高效率的功率开关能力。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种专为高功率密度应用而设计的表面贴装型封装，具有良好的热性能和占板面积优势。

该MOSFET的漏源电压（Vdss）为12V，在25°C壳温条件下连续漏极电流（Id）可达19A，展现出强大的电流处理能力。其关键性能指标在于极低的导通损耗，在Vgs为4.5V、Id为12A的条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为11.7毫欧。同时，其栅极驱动特性优异，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为1.2V，而栅极总电荷（Qg）在Vgs=6V时最大仅为9.5nC，这有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，使其非常适合高频开关应用。

在接口与参数方面，器件支持的最大栅源电压（Vgs）为-6V，输入电容（Ciss）在Vds=6V时最大为913pF。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为2.16W，结合PowerDI3333封装的低热阻特性，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取原装正品和技术支持。

基于其低导通电阻、快速开关特性和紧凑的封装，DMP1011LFV-7主要面向空间受限且对效率要求高的直流电源管理场景。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑、服务器等设备中的负载开关、电源路径管理和电池保护电路，同样也适用于低压大电流的电机驱动、POL（负载点）转换器以及各类便携式电子设备的功率分配单元。

• 型号:DMP1011LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.7 毫欧 @ 12A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 6 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:913 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.16W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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