DMP1045UFY4-7

Diodes Incorporated推出的DMP1045UFY4-7是一款采用先进MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现高效率的功率开关与控制。其P沟道特性简化了栅极驱动电路的设计，特别是在负载开关和电源路径管理应用中，能够以较低的栅极驱动电压实现主电源的通断控制，为系统设计带来了便利。

该MOSFET在电气性能上表现出色，其关键参数定义了其卓越的开关与导通能力。器件具备12V的漏源击穿电压(Vdss)，适用于低电压总线环境。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值高达5.5A，能够承载可观的负载电流。更值得关注的是其低导通电阻特性，在4.5V栅源电压(Vgs)和4A漏极电流条件下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为32毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，且支持低至1.8V的驱动电压，使其与现代低压微控制器和逻辑电路能够无缝兼容，实现高效驱动。

在动态特性方面，DMP1045UFY4-7同样经过优化。其最大栅极电荷(Qg)在8V Vgs下为23.7nC，结合1291pF的输入电容，共同决定了快速的开关转换速度，有助于降低开关损耗，尤其在高频开关应用中优势明显。器件的栅源电压耐受范围为±8V，提供了可靠的驱动安全裕度。其封装形式为紧凑的DFN2015H4-3表面贴装封装，尺寸极小，非常适合空间受限的便携式和高度集成化设备。该器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其低导通电阻、低栅极驱动电压和小尺寸封装，DMP1045UFY4-7非常适用于多种低电压、高电流密度的应用场景。它常被用于智能手机、平板电脑、便携式医疗设备等产品的负载开关、电源选择开关和电池保护电路中，以实现高效的功率分配与管理。此外，在DC-DC转换器的同步整流侧、电机驱动控制以及各种需要P沟道MOSFET进行高端开关的场合，它也是一个理想的选择，能够帮助设计工程师提升系统能效，减小产品体积。

• 型号:DMP1045UFY4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DFN2015H4-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.7 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1291 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DFN2015H4-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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