DMP10H400SE-13

作为一款高性能的P沟道功率MOSFET，DMP10H400SE-13采用了先进的平面MOSFET技术，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件在100V的漏源电压（Vdss）额定值下工作，确保了在高压应用中的可靠性与稳定性。其P沟道特性简化了栅极驱动电路的设计，特别适用于高侧开关应用，无需额外的电荷泵或电平移位电路，从而有效降低了系统复杂度和成本。

该MOSFET的显著功能特点体现在其优异的电气性能上。在10V栅源电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至250毫欧（@5A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17.5nC（@10V），结合1239pF的输入电容（Ciss），共同保证了快速的开关速度，有助于减少开关过程中的功率损耗，并允许工作在更高的开关频率下。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V的栅极电压下即可实现良好的导通，兼容常见的逻辑电平，增强了设计的灵活性。

在接口与关键参数方面，DMP10H400SE-13提供了强大的电流处理能力，在环境温度（Ta）下连续漏极电流为2.3A，而在管壳温度（Tc）下可高达6A，这使其能够应对峰值负载。其最大功率耗散在Tc条件下为13.7W，结合SOT-223封装优良的热性能，确保了器件在高温环境下的稳定运行。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境。对于需要可靠供应链和稳定货源的客户，通过DIODES一级代理进行采购是保障项目顺利进行的重要环节。

基于上述特性，该器件非常适合多种应用场景。它常被用于DC-DC转换器中的高侧开关、电机驱动控制电路、电源管理模块中的负载开关以及电池保护电路。其表面贴装的SOT-223封装节省了PCB空间，同时便于自动化生产，是空间受限的紧凑型电子设备，如适配器、电动工具、消费类电子产品及工业控制系统的理想选择。

• 型号:DMP10H400SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta），6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1239 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），13.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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