DMP10H400SEQ-13

DMP10H400SEQ-13是Diodes Incorporated推出的一款P沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的SOT-223表面贴装器件中。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，内部结构经过精心布局以降低寄生电容和栅极电荷，从而提升整体能效和开关频率响应能力。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，为设计提供了宽裕的电压裕量，增强了系统在瞬态电压下的可靠性。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至250毫欧（@5A），这直接降低了导通状态下的功率损耗，对于提升系统效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17.5nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量小，能够实现更快的开关速度并降低驱动电路的复杂性。

在电气参数与接口兼容性上，DMP10H400SEQ-13展现了良好的设计灵活性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声能力。其电流承载能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为2.3A，而在管壳温度（Tc）下则可高达6A，最大功耗在Tc条件下可达13.7W。这种性能表现使其能够胜任中小功率的开关或线性调节任务。广泛的DIODES代理网络确保了该器件稳定的供货和技术支持渠道。

得益于其高耐压、低导通电阻和快速开关的综合优势，此MOSFET非常适合应用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的负载开关或同步整流（在适当拓扑中）、电机驱动电路中的预驱动或方向控制、电池供电设备的电源路径管理，以及工业控制、消费电子和汽车电子中的各种低侧或高侧开关电路。其SOT-223封装在提供良好散热性能的同时，也满足了现代电子产品对PCB空间日益严苛的要求。

• 型号:DMP10H400SEQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta），6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1239 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），13.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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