ZVP4525E6TC

ZVP4525E6TC是Diodes Incorporated推出的一款高压P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的SOT-23-6表面贴装封装，其核心设计旨在实现高压环境下的可靠开关与控制。其P沟道架构简化了在负载位于源极和地之间的高压侧开关应用中的栅极驱动电路设计，无需额外的电平移位电路，从而有助于减少系统复杂性和元件数量。

该MOSFET的关键电气特性使其在高压、小电流应用中表现出色。其最大漏源电压(Vdss)高达250V，能够耐受较高的电压应力。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为197mA，适用于中等功率水平的信号切换或驱动。其导通电阻(Rds(on))在Vgs为10V、Id为200mA的条件下典型值为14欧姆，较低的导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗。栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2V @ 1mA，结合3.5V至10V的推荐驱动电压范围，表明该器件能够与标准的3.3V或5V逻辑电平良好兼容，实现高效驱动。

在动态特性方面，在Vgs为10V时，最大栅极电荷(Qg)仅为3.45nC，在Vds为25V时，最大输入电容(Ciss)为73pF。这些低电荷和电容参数共同决定了极低的开关损耗，使得器件在高频开关应用中能够保持高效率。其栅源电压(Vgs)可承受±40V的最大值，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力。器件的最大功耗为1.1W (Ta)，结合其SOT-23-6封装的热性能，设计时需注意散热管理。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在苛刻工业环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取该产品的技术支持和供货信息。

基于其高压P沟道特性、紧凑封装以及良好的开关性能，ZVP4525E6TC非常适合于空间受限且需要高压侧开关功能的应用。典型应用场景包括工业控制系统中的高压信号隔离与切换、通信设备中的电源路径管理、消费电子产品的电池保护电路，以及各类离线式或DC-DC转换器中的辅助电源开关。其设计平衡了电压耐受能力、开关速度与封装尺寸，为工程师在高电压、低功率密度领域提供了一个有效的解决方案。

• 型号:ZVP4525E6TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):197mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:73 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
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