DMP10H400SK3-13

Diodes Incorporated推出的DMP10H400SK3-13是一款采用先进平面MOSFET技术制造的P沟道功率场效应晶体管。该器件采用TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，专为高密度、高效率的电源管理和功率开关应用而设计。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，从而在紧凑的封装内提供出色的功率处理能力。

该MOSFET的突出特性在于其100V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达9A的连续漏极电流能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压（Vgs）和5A漏极电流条件下最大仅为240毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够轻松兼容大多数低压逻辑电路和控制器，简化了驱动电路设计。对于开关电源等高频应用，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17.5nC，结合1239pF的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关瞬态，减少开关损耗，提升整体频率响应。

在接口与参数方面，DMP10H400SK3-13提供了稳健的电气特性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，增强了抗电压尖峰的能力。器件在壳温条件下的最大功率耗散为42W，并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在苛刻环境下的可靠运行。表面贴装的TO-252-3封装不仅有利于自动化生产，其良好的热性能也便于通过PCB铜箔进行散热管理。如需获取稳定的供货和技术支持，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是可靠的选择。

基于上述技术特点，该器件非常适合应用于需要高效率功率转换和控制的领域。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电机驱动电路中的预驱动或H桥配置、电池保护电路以及各类工业设备中的电源分配单元。其P沟道特性使其在高端开关应用中无需额外的电荷泵或自举电路，从而简化了系统架构，降低了整体成本和设计复杂度，是工程师在开发紧凑型、高可靠性功率电子系统时的优选元件。

• 型号:DMP10H400SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1239 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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