DMP2007UFG-13

DMP2007UFG-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用PowerDI3333-8表面贴装封装，专为高密度、高效率的功率管理应用而优化。其核心架构基于成熟的沟槽工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关特性，从而在紧凑的封装内提供强大的电流处理能力和优异的散热性能。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在同类产品中表现突出。其最大漏源电压(Vdss)为20V，适用于常见的12V及以下低压系统。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值高达18A，而在管壳温度下更可支持40A，展现了其强大的载流能力。其导通电阻(Rds(On))极低，在10V驱动电压(Vgs)和15A漏极电流条件下，最大值仅为5.5毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.3V，且驱动电压范围宽（最大RdsOn对应2.5V，最小对应10V），与标准逻辑电平兼容性好，便于驱动电路设计。

在动态参数方面，DMP2007UFG-13在10V Vgs下的最大栅极电荷(Qg)为85nC，最大输入电容(Ciss)为4621pF，这些参数共同决定了其快速的开关速度，有助于降低开关损耗，适用于高频开关应用。器件支持的最大栅源电压(Vgs)为±12V，提供了安全的驱动裕量。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及完整的技术支持。

凭借其低导通电阻、高电流能力、快速开关特性以及PowerDI3333封装优异的散热性能，DMP2007UFG-13非常适合用于空间受限且对效率要求高的场景。其主要应用领域包括服务器、笔记本电脑、显卡等设备中的负载开关、电源路径管理、电池保护电路以及DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其表面贴装形式也完全适配现代自动化生产工艺，是设计紧凑型、高效率电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMP2007UFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4621 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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