DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，集成了优化的硅片设计与封装工艺，旨在实现高功率密度与卓越的热性能。其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术，通过精细的单元设计和工艺控制，在确保高击穿电压的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，为高效率的功率开关应用奠定了硬件基础。

在电气特性方面，该器件具备80V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了充足的电压裕量，适用于常见的48V及以下总线系统。其导通电阻表现突出，在10V栅极驱动电压、12A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为16毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值在10V时为34nC，较低的栅极电荷有助于减少开关过程中的驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而简化电路设计并降低整体系统成本。

该MOSFET支持宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电平为10V，并兼容低至6V的逻辑电平驱动，为设计提供了灵活性。其连续漏极电流能力在环境温度(Ta)下为9.5A，在壳温(Tc)下高达35A，结合高达30W（Tc）的功率耗散能力，使其能够处理可观的功率等级。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的设计项目，通过DIODES授权代理进行采购是确保产品正宗与供货稳定的推荐途径。

凭借其优异的性能组合，DMT8012LFG-13非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制电路、锂离子电池保护与管理系统，以及各类需要高效功率切换的工业电源和消费类电子设备。其表面贴装形式也完全适配现代自动化生产流程。

• 型号:DMT8012LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1949 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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