DMP2010UFV-13

DMP2010UFV-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的P沟道功率MOSFET，封装于紧凑的PowerDI3333-8表面贴装器件中。该器件基于优化的MOSFET架构，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，其核心设计平衡了开关性能与导通损耗，为20V电压等级的应用提供了高效的功率开关解决方案。其沟槽技术有效降低了单元密度，从而在保持快速开关特性的同时，显著提升了电流处理能力。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的导通电阻（Rds(on)）性能，在4.5V驱动电压（Vgs）下，其最大值仅为9.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值低至1.2V，配合最大103nC的栅极电荷（Qg），确保了器件能够被低电压逻辑电平轻松、快速地驱动，非常适合由微控制器或低压ASIC直接控制的场景。其坚固的设计允许连续漏极电流（Id）高达50A，并支持±10V的栅源电压，提供了宽裕的设计余量和可靠性。

在接口与参数方面，DMP2010UFV-13的漏源击穿电压（Vdss）为20V，适用于常见的12V总线系统。其输入电容（Ciss）典型值有助于优化栅极驱动电路设计。器件采用热增强型PowerDI3333封装，具有良好的散热性能，结温工作范围宽达-55°C至150°C，满足严苛环境下的稳定运行需求。对于需要可靠供应链和全面技术支持的设计项目，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与供货稳定的重要途径。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，该器件广泛应用于需要高效功率管理和控制的领域。典型应用包括服务器、通信设备的负载开关与电源路径管理，笔记本电脑和移动设备的电池保护与充放电电路，以及各类DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其紧凑的封装尺寸尤其有利于空间受限的便携式电子产品和高端密度的板卡设计，是实现高功率密度解决方案的关键元器件。

• 型号:DMP2010UFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:103 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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