DMP2021UFDE-13

DMP2021UFDE-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（E类）封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能。其核心设计旨在优化功率密度与效率的平衡，通过精心的芯片布局和封装技术，有效降低了寄生参数，为高开关频率应用提供了坚实的基础。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和高达11.1A的连续漏极电流(Id)能力。其关键优势在于极低的导通电阻，在驱动电压(Vgs)为4.5V、漏极电流(Id)为7A的条件下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为16毫欧。这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为1V，配合最大59nC的栅极总电荷(Qg)，意味着该器件易于驱动，能够实现快速、高效的开关切换，有助于减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，DMP2021UFDE-13支持±10V的最大栅源电压，提供了安全的驱动裕量。其输入电容(Ciss)在Vds为15V时最大值为2760pF，结合较低的Qg，共同确保了良好的动态响应特性。器件的额定功耗为1.9W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的可靠运行。表面贴装型的封装形式完全符合现代自动化生产的需求。如需获取稳定的供货与技术支援，可以联系DIODES中国代理。

凭借其高性能和小尺寸的组合，该器件非常适合空间受限且对效率要求高的应用场景。它广泛应用于便携式设备的电源管理模块，如负载开关、电池保护电路和DC-DC转换器中的同步整流或高侧开关。在计算设备（如笔记本电脑、平板电脑）的主板电源分配、USB端口电源控制，以及各类消费电子和工业模块的功率路径管理中，DMP2021UFDE-13都能提供高效、可靠的解决方案，有效提升终端产品的整体能效和功率密度。

• 型号:DMP2021UFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2760 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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