DMP2021UFDE-7

DMP2021UFDE-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（E类）封装，专为高密度、高效率的电源管理和负载开关应用而设计。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的出色平衡，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体能效。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其最大连续漏极电流（I_D）在环境温度（T_a）下可达11.1A，配合20V的漏源击穿电压（V_DSS），为低压大电流应用提供了可靠的性能基础。其导通电阻在驱动电压（V_GS）为4.5V、漏极电流（I_D）为7A的条件下，典型值仅为16mΩ，确保了在导通状态下极低的功率耗散。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为1V，且栅极电荷（Q_g）在V_GS=8V时最大值仅为59nC，这使得器件能够被微控制器或低电压逻辑电路轻松、快速地驱动，并有效降低驱动电路的损耗和复杂性。

在接口与关键参数方面，DMP2021UFDE-7的栅源电压（V_GS）耐受范围为±10V，提供了足够的驱动安全裕量。其输入电容（C_iss）在V_DS=15V时最大值为2760pF，结合低栅极电荷特性，共同决定了其快速的开关响应速度。器件的最大功耗为1.9W（T_a），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。表面贴装型的封装形式非常适合自动化生产，有助于客户降低制造成本。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

得益于其优异的电气性能和紧凑的物理尺寸，DMP2021UFDE-7非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。典型应用包括但不限于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中的电源路径管理、电池保护电路和负载开关；在服务器、网络通信设备的分布式电源架构中，用于DC-DC转换器的同步整流或负载点（POL）转换；此外，也广泛应用于消费电子、工业控制模块中的电机驱动、继电器替代等需要高效功率切换的场合。

• 型号:DMP2021UFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2760 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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