DMP2033UCB9-7

Diodes Incorporated推出的DMP2033UCB9-7是一款采用先进U-WLB1515-9封装（超薄晶圆级球栅阵列）的P沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心架构旨在实现低导通损耗与高效率的开关控制。其紧凑的封装形式不仅优化了PCB空间利用率，还通过改善的热性能支持更高的功率密度设计。

该MOSFET的关键电气特性使其在低压、大电流开关应用中表现出色。其最大漏源电压(Vdss)为20V，在25°C环境温度下可支持高达4.2A的连续漏极电流(Id)。其导通电阻(RdsOn)在4.5V栅源驱动电压(Vgs)和2A漏极电流条件下，最大值仅为33毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值低至1.1V，且最大栅极电荷(Qg)仅为7nC @ 4.5V，这意味着它能够被低电压逻辑电平（如1.8V至4.5V）高效驱动，并实现快速的开关切换，从而减少开关损耗，特别适合高频应用场景。

在接口与参数方面，DIODES中国代理可提供该器件的完整技术支持和供应服务。DMP2033UCB9-7采用表面贴装型封装，便于自动化生产。其最大允许栅源电压(Vgs)为-6V，确保了驱动电路的可靠性。器件的输入电容(Ciss)在10V漏源电压下最大值为500pF，结合低栅极电荷，共同优化了驱动器的负载。其结温(TJ)工作范围宽广，从-55°C延伸至150°C，最大功率耗散为1W（Ta），展现了良好的环境适应性。

综合其特性，DMP2033UCB9-7非常适用于空间受限且对效率要求高的便携式电子设备与低功耗系统。典型应用包括负载开关、电源管理单元（PMU）中的功率路径控制、电池供电设备的电源切换，以及DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数对于理解同类低压P-MOSFET的选型与替代仍具有重要的参考价值。

• 型号:DMP2033UCB9-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1515-9
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1515-9
• 封装/外壳:9-UFBGA，WLBGA
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