DMP2035UVTQ-7

DMP2035UVTQ-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的P沟道功率MOSFET，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与快速的开关性能。该器件采用紧凑的TSOT-26封装，内部集成了优化的栅极结构和低寄生参数设计，确保了在紧凑空间内的高功率密度和高效能表现。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大导通电阻（Rds(On)）在4.5V驱动电压下仅为35毫欧（典型值），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值为1.5V，结合最大±12V的栅源电压耐受能力，使其能够与低电压逻辑电平（如1.8V或3.3V）的微控制器或电源管理IC直接兼容，简化了驱动电路设计。较低的栅极电荷（Qg，最大值23.1nC）和输入电容（Ciss）有效降低了开关损耗，提升了高频开关应用中的性能。

在接口与参数方面，该器件额定漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）高达7.2A，能够满足多数中低功率负载切换和电源路径管理的需求。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并通过了AEC-Q101认证，表明其具备满足汽车电子应用严苛环境要求的可靠性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过专业的DIODES芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能和可靠性，DMP2035UVTQ-7非常适用于空间受限且对效率要求高的应用场景。典型应用包括便携式设备的负载开关、电池供电系统的电源管理、电机驱动中的预驱动或H桥电路，以及汽车电子中的辅助电源控制模块。其表面贴装形式和微型封装也使其成为高密度PCB设计的理想选择。

• 型号:DMP2035UVTQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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