DMP2036UVT-13

DMP2036UVT-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽技术的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的TSOT-26封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能与热性能平衡。其核心设计旨在优化功率转换路径，通过降低栅极电荷和导通电阻，显著提升了开关效率并减少了导通损耗，使其成为空间受限且对效率有严苛要求的现代电子系统的理想选择。

该MOSFET在25°C环境温度下能够提供高达6A的连续漏极电流，同时其20V的漏源击穿电压使其非常适合用于低压电源管理及负载开关应用。其低导通电阻特性确保了在负载电流下具有更低的电压降和功率损耗，直接提升了系统的整体能效。此外，其优化的动态参数有助于降低开关过程中的功率损耗和电磁干扰，简化了外围驱动电路的设计。

在接口与参数方面，DMP2036UVT-13兼容标准的逻辑电平驱动，便于与微控制器或电源管理芯片直接连接。TSOT-26封装不仅提供了良好的散热性能，也适应了高密度表面贴装的生产工艺。对于需要可靠供应链和稳定供货的客户，通过正规的DIODES一级代理进行采购，是确保产品正品性与长期可获得性的关键。

其典型应用场景广泛覆盖了便携式电子设备、电池管理系统、DC-DC转换器中的同步整流或负载开关，以及各类需要高效功率切换的模块。无论是智能手机、平板电脑的电源路径管理，还是物联网设备中的节能控制，该器件都能提供稳定可靠的性能表现，帮助设计工程师在性能、尺寸和成本之间取得最佳平衡。

• 型号:DMP2036UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
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