DMP2036UVT-7

DMP2036UVT-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的P沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。该器件采用P沟道设计，特别适用于需要由逻辑电平直接控制电源开关或进行负载管理的应用，其结构确保了在低栅极驱动电压下即可实现极低的导通电阻。

该器件在1.8V的低栅源电压下即可开始有效导通，并在4.5V的驱动电压下达到30mΩ（典型值）的极低导通电阻（Rds(on)），这一特性使其能够在6A的连续漏极电流下高效工作，显著降低传导损耗和温升。其栅极电荷（Qg）最大值仅为20.5nC @ 4.5V，结合较低的输入电容，意味着快速的开关速度和极低的开关损耗，非常适合高频开关应用。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围为±8V，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。

在电气参数方面，DMP2036UVT-7的漏源击穿电压（Vdss）为20V，足以应对常见的12V或更低电压的电源总线。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。该器件采用TSOT-26封装，这是一种超小型的表面贴装封装，占板面积极小，非常适合空间受限的便携式和微型化电子设备。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方DIODES授权代理进行采购。

凭借其低导通电阻、低栅极电荷和小型化封装的综合优势，该MOSFET广泛应用于负载开关、电源管理模块、电池保护电路、电机驱动（小功率）及DC-DC转换器中的同步整流或高边开关。在智能手机、平板电脑、便携式医疗设备、物联网终端等产品中，它能有效实现高效的功率路径管理和系统节能。

• 型号:DMP2036UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30mOhm @ 6.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1808 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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