DMP2040UFDF-7

DMP2040UFDF-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能，其设计核心在于优化功率密度与开关效率的平衡，以满足现代高密度电源管理和负载开关应用对空间与性能的双重要求。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压（Vdss）和高达13A（Tc）的连续漏极电流能力，展现出强大的功率处理潜力。其关键性能指标在于极低的导通电阻，在Vgs为4.5V、Id为8.9A的条件下，Rds(on)最大值仅为32毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为1.5V，配合2.5V（最大RdsOn）至4.5V（最小RdsOn）的推荐驱动电压范围，使其能够与低至2.5V的逻辑电平直接兼容，简化了驱动电路设计，特别适用于由电池或低压电源轨供电的系统。

在动态特性方面，该器件在Vgs=8V时的栅极总电荷（Qg）最大值仅为19nC，结合834pF @ 10V的输入电容（Ciss），共同决定了其快速的开关速度，有助于降低开关过程中的功率损耗并提升工作频率。其栅源电压（Vgs）可承受±12V的极限值，提供了良好的栅极鲁棒性。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理渠道获取此产品，以保证原装正品和技术支持。

凭借其高电流能力、低导通电阻、低压驱动兼容性以及快速开关特性，DMP2040UFDF-7非常适合应用于空间受限的便携式设备、计算平台和网络设备中。其典型应用场景包括但不限于：负载开关、电源路径管理、电池保护电路、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及电机驱动控制等。其表面贴装型封装也完全适配自动化生产流程，有利于提升制造效率。

• 型号:DMP2040UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 8.9A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:834 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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