DMP2067LVT-13

DMP2067LVT-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽技术的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的TSOT-26封装，集成了优化的单元结构，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的平衡，从而在空间受限的应用中提供高效率的功率开关解决方案。其设计重点在于降低传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体能效至关重要。

该MOSFET的核心优势在于其出色的电气性能。它具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和4.2A的连续漏极电流(Id)能力，为低压电路提供了可靠的开关基础。其导通电阻(Rds(on))在4.5V驱动电压下典型值仅为45毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通压降和功率损耗。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.5V，且驱动电压范围宽（最大Rds(on)对应2.5V，完全开启建议4.5V），使其能够与多种逻辑电平（包括3.3V和5V系统）良好兼容，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，DMP2067LVT-13表现出色。其最大栅极电荷(Qg)仅为28nC，结合1575pF的输入电容(Ciss)，意味着在开关过程中所需的驱动能量很小，这有助于实现高速开关并进一步降低开关损耗，尤其在高频应用中优势明显。器件的功率耗散能力为1.2W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。表面贴装的TSOT-26封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也符合现代电子设备小型化的趋势。

这款MOSFET非常适合用于需要高效功率管理和负载切换的场合。典型应用包括便携式设备的电源管理，如负载开关、电池保护电路和DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。在计算设备、消费电子及工业控制模块中，它可用于电机驱动、LED背光控制或信号路径的切换。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的DIODES授权代理获取原装正品，以确保设计的一致性和长期供货的稳定性。

• 型号:DMP2067LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1575 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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