DMP210DUFB4-7

DMP210DUFB4-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件。该器件基于成熟的平面MOSFET架构，在紧凑的X2-DFN1006-3封装内集成了高性能的功率开关功能。其设计重点在于优化了沟道电阻与栅极电荷的平衡，从而在低电压驱动下实现高效的电流控制。芯片内部结构经过精心布局，确保了在-55°C至150°C的宽结温范围内，电气性能的稳定性和可靠性。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻与出色的栅极驱动特性。在4.5V的栅源电压驱动下，当漏极电流为100mA时，其导通电阻最大值仅为5欧姆，这有效降低了导通状态下的功率损耗。其栅极阈值电压最大值为1V，而推荐的驱动电压范围在1.2V至4.5V之间，这意味着它可以被常见的低电压逻辑电平（如1.8V、3.3V）轻松且高效地驱动，非常适合由微控制器或数字ASIC直接控制的应用场景。此外，其输入电容最大值仅为175pF，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。

在电气参数方面，Diodes Incorporated的这款器件提供了20V的漏源击穿电压和200mA的连续漏极电流能力，使其能够胜任多种低压电路的负载开关与电源路径管理任务。其栅源电压可承受±10V的应力，提供了良好的栅极保护。器件采用表面贴装型封装，占板面积极小，非常适合高密度PCB设计。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品，以确保原装正品和技术支持。

凭借其小尺寸、低导通电阻和优异的低压驱动能力，DMP210DUFB4-7广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统以及物联网节点等空间受限且对能效要求苛刻的领域。典型应用包括作为负载开关用于电源域隔离、在电池管理电路中实现充放电控制，或在信号路径中担任模拟开关角色，为系统设计提供了高性价比的解决方案。

• 型号:DMP210DUFB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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