DMP2130LDM-7

DMP2130LDM-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件。该器件采用紧凑的SOT-26表面贴装封装，其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺，实现了在极小占板面积内的高效功率处理能力。其设计重点在于优化沟道电阻与栅极电荷的平衡，从而在提供较低导通损耗的同时，保持良好的开关特性。

该MOSFET的显著特性包括20V的漏源击穿电压(Vdss)和在25°C环境温度下高达3.4A的连续漏极电流(Id)能力。其导通电阻表现优异，在驱动电压(Vgs)为4.5V、漏极电流(Id)为4.5A的条件下，导通电阻(Rds(On))最大值仅为80毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。其栅极驱动特性同样出色，栅极阈值电压(Vgs(th))最大值低至1.25V（测试条件为250A），且在4.5V Vgs下的总栅极电荷(Qg)最大值仅为7.3nC，这意味着它能够被低电压逻辑电平（如2.5V或3.3V）高效驱动，并实现快速的开关切换，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与电气参数方面，该器件支持±12V的最大栅源电压，提供了安全的驱动裕量。其输入电容(Ciss)在16V Vds下最大值为443pF，结合低栅极电荷，共同确保了快速的动态响应。器件的最大功耗为1.25W，并能在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，展现了良好的环境适应性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的DIODES芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

凭借其小尺寸、低导通电阻和优异的开关性能，DMP2130LDM-7非常适合应用于空间受限且对效率有要求的场景。典型应用包括便携式设备中的负载开关、电源管理单元(PMU)的功率路径控制、电池供电系统的反向极性保护，以及DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其P沟道特性使其在由低侧控制器直接驱动高端负载时，无需额外的电荷泵或电平移位电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。

• 型号:DMP2130LDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:443 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.25W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
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