DMP2170U-13

作为一款符合AEC-Q101标准的汽车级P沟道功率MOSFET，DMP2170U-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心架构针对高效率和低损耗进行了优化。该器件在紧凑的SOT-23封装内实现了优异的电气性能，其20V的漏源电压（Vdss）和3.1A的连续漏极电流（Id）能力，使其成为空间受限且对功率密度有要求的应用的理想选择。

该器件的功能特点突出表现在其卓越的开关性能和导通特性上。在驱动电压方面，其阈值电压Vgs(th)最大仅为1.25V，结合2.5V至4.5V的推荐驱动电压范围，使其能够轻松兼容低电压逻辑电路，简化了驱动设计。其导通电阻（Rds(On)）在4.5V Vgs和3.5A Id条件下最大仅为90毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为7.8nC，输入电容（Ciss）最大为303pF，这些低电荷参数共同确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与关键参数层面，DMP2170U-13提供了稳健的工作边界。其栅源电压（Vgs）可承受±12V的最大值，增强了抗干扰能力。器件在环境温度（Ta）下的最大功率耗散为780mW，结合其宽泛的结温（Tj）工作范围（-55°C至150°C），确保了在严苛环境下的可靠性与长期稳定性。其表面贴装型（SMT）的SOT-23封装符合现代自动化生产需求，为工程师提供了高性价比的解决方案。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过正规的DIODES一级代理进行采购是保障项目顺利进行的重要环节。

基于上述特性，该MOSFET非常适合一系列对尺寸、效率和可靠性有严格要求的应用场景。在汽车电子领域，可用于座椅调节、车窗控制、LED照明驱动等低压负载开关电路。在便携式消费电子中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，其常用于电源管理单元的负载开关、电池保护及DC-DC转换器中的同步整流。此外，在工业控制、低压电机驱动及各类嵌入式系统的功率分配模块中，它也能发挥出色的性能。

• 型号:DMP2170U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:303 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:780mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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