DMP2170U-7

DMP2170U-7是一款由Diodes Incorporated设计制造的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的SOT-23封装，实现了高功率密度与小型化的平衡，其核心架构优化了单元密度与沟道设计，旨在提供卓越的导通电阻与开关性能。其栅极氧化层经过精心设计，确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性，同时较低的栅极电荷有助于提升开关效率。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为20V，连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下可达3.1A，为负载开关和电源管理应用提供了充足的电流处理能力。其导通电阻(Rds(on))表现优异，在Vgs=4.5V、Id=3.5A的条件下，最大值仅为90毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.25V，驱动电压范围宽（最大RdsOn对应2.5V，最小对应4.5V），使其能够与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或电源管理IC轻松兼容，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，DMP2170U-7展现了快速的开关潜力。在Vgs=10V时，其最大栅极总电荷(Qg)仅为7.8nC，最大输入电容(Ciss)为303pF，这些低值参数意味着栅极驱动所需的能量更少，能够实现更快的开关速度并减少开关损耗，特别适用于高频开关应用。器件的最大栅源电压(Vgs)为±12V，提供了安全的驱动裕量。其最大功耗为780mW (Ta)，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。如需获取官方技术支持和供货保障，可以联系授权的DIODES代理。

凭借其AEC-Q101认证的汽车级产品系列身份，该器件满足汽车电子对高可靠性的严苛要求。其典型的应用场景广泛，包括但不限于车载信息娱乐系统、车身控制模块、LED照明驱动中的负载开关、电源分配单元中的反向极性保护，以及便携式设备、电池管理系统(BMS)中的充电控制与放电通路管理。其SOT-23的表面贴装封装也使其非常适合空间受限的现代高密度PCB设计。

• 型号:DMP2170U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:303 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:780mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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