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MBRD10150CT-13

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MBRD10150CT-13技术参数详情:

MBRD10150CT-13是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装TO-252-3(DPak)封装的双肖特基整流二极管阵列。该器件采用1对共阴极配置,将两个独立的肖特基二极管集成在单一紧凑封装内,这种架构不仅优化了PCB布局空间,还简化了电路设计,特别适用于需要紧凑布局和高效率的电源拓扑。

其核心特性在于采用了肖特基势垒技术,实现了极低的正向压降,典型值在5A电流下仅为890mV。这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率,尤其在低压大电流的应用中优势显著。同时,器件具备快速恢复特性,反向恢复时间极短,这有效减少了开关过程中的电压尖峰和开关损耗,使其非常适用于高频开关电源电路。其反向漏电流在150V额定电压下典型值仅为50A,体现了良好的反向阻断性能。

在电气参数方面,该器件定义了明确的工作边界。其最大直流反向电压(Vr)为150V,每二极管平均整流电流(Io)为5A,为设计提供了充足的裕量。宽泛的工作结温范围(-55°C至175°C)确保了其在苛刻环境下的可靠性与稳定性。其表面贴装形式和标准的DPak封装也便于自动化生产焊接和散热管理。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取此产品及相关设计资源。

基于其高电压、高效率和高频性能的组合,MBRD10150CT-13非常适合应用于开关电源(SMPS)的次级侧整流、DC-DC转换器、极性保护电路以及电机驱动和逆变器中的续流或钳位二极管。它是提升工业电源、消费类电子适配器及汽车电子系统中功率转换环节性能的理想选择。

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