DMP21D0UT-7

DMP21D0UT-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术制造的P沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现优异的开关性能与功率效率。其沟道结构经过优化，在极低的栅极驱动电压下即可实现完全导通，这使其特别适合由低电压逻辑电路直接驱动的应用场景。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压额定值为20V，能够满足多数低压电源轨和信号切换的需求。在25°C环境温度下，其连续漏极电流能力达到590mA，足以驱动中小功率负载。其导通电阻表现尤为出色，在Vgs为4.5V、Id为400mA的条件下，Rds(on)最大值仅为495毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低，有助于提升系统整体能效。此外，其栅极阈值电压Vgs(th)最大值低至700mV（测试条件为Id=250A），结合最大仅1.54nC（@8V）的栅极电荷Qg，共同确保了快速、高效的开关切换，并显著降低了驱动电路的负担和开关损耗。

在接口与封装方面，DMP21D0UT-7采用紧凑的SOT-523表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。其输入电容Ciss最大值在Vds=10V时为80pF，较小的电容值进一步有利于高速开关操作。器件的栅源电压最大可承受±8V，提供了安全的驱动电压裕度。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行，最大功耗为240mW（Ta）。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理进行采购与咨询。

凭借其低导通电阻、低栅极电荷和低阈值电压的组合，这款MOSFET非常适合应用于空间受限且对效率有高要求的领域。其主要应用场景包括便携式电子设备中的电源负载开关、电池供电系统的功率路径管理、低电压DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及各种需要高效功率切换的模拟开关电路和信号多路复用器。其小型化封装和优异的电气参数使其成为现代紧凑型、高能效电子产品设计的理想选择。

• 型号:DMP21D0UT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):590mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:495 毫欧 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（典型值）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.54 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:80 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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