DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用成熟的TO-220AB通孔封装。该器件基于先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心设计旨在实现高功率密度下的低损耗与高可靠性。其结构优化了沟道与单元密度，在保证100V漏源电压（Vdss）额定值的同时，有效降低了导通电阻，从而提升了整体能效。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压、13A漏极电流条件下，其最大值仅为9.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和发热量，对于提升系统效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在53.7nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。高达108A（Tc）的连续漏极电流能力和166W（Tc）的最大功率耗散能力，使其能够胜任大电流应用场景下的严苛要求。

在电气参数方面，该MOSFET的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V @ 250A，确保了良好的噪声容限和可靠的关断特性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了宽裕的驱动电压范围。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，结合其符合汽车级AEC-Q101标准的产品系列认证，保证了其在恶劣环境下的长期稳定运行，尤其适用于对温度波动和振动有严格要求的场合。

得益于其稳健的性能参数，DMTH10H010LCTB-13非常适合应用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括汽车电子系统中的电机驱动（如风扇、水泵、车窗升降器）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）中的负载开关，以及工业电源和逆变器。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的项目，通过正规的DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与供货稳定的重要途径。

• 型号:DMTH10H010LCTB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):108A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2592 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），166W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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