DMP21D5UFD-7

DMP21D5UFD-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的X1-DFN1212-3表面贴装封装，其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其P沟道设计简化了在低侧开关或负载开关应用中的栅极驱动电路，特别是在由低压逻辑信号直接控制的场景中，能够有效减少外围元件数量并优化系统布局。

该MOSFET在4.5V栅源电压下，导通电阻典型值仅为1欧姆，这一特性确保了在600mA连续漏极电流下仍能保持较低的传导损耗。其栅极阈值电压最大值为1V，配合1.2V至4.5V的宽范围驱动电压，使其能够与绝大多数现代微控制器和数字逻辑电路无缝兼容，实现高效可靠的开关控制。此外，其栅极电荷最大值控制在800nC，结合46.1pF的输入电容，共同贡献了出色的开关性能，有助于降低高频开关应用中的动态损耗并提升整体能效。

在电气参数方面，DMP21D5UFD-7的漏源击穿电压额定值为20V，适用于常见的12V及以下低压总线系统。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并能在环境温度下承受400mW的功率耗散，保证了其在苛刻环境下的稳定性和鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的批量项目，通过正规的DIODES一级代理进行采购是确保元器件正品与供货稳定的关键。

凭借其小尺寸、低导通电阻和易驱动特性，这款MOSFET非常适合空间受限的便携式电子设备、电池管理系统中的负载开关、电源路径管理，以及低压电机驱动、LED调光等应用。其设计充分考虑了高密度PCB布局的需求，是工程师在追求高效率、小型化设计时的理想选择之一。

• 型号:DMP21D5UFD-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.8 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:46.1 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
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