DMP3007LK3-13

作为一款高性能的P沟道功率MOSFET，DMP3007LK3-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗与高效的开关性能。该器件基于成熟的沟槽工艺制造，优化了单元密度与沟道电阻，从而在紧凑的封装内实现了出色的电流处理能力与热性能，为电源管理与负载开关应用提供了可靠的半导体解决方案。

在电气特性方面，该器件展现出显著的优势。其最大漏源电压（Vdss）为30V，在25°C环境温度下可支持高达18.5A的连续漏极电流。一个关键的性能指标是其极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和17A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为7毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。驱动电压范围宽泛，从4.5V到10V，确保了与多种逻辑电平控制电路的兼容性。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.8V，有助于实现稳定可靠的开启控制。

器件的动态特性同样经过精心优化。在10V Vgs条件下，最大栅极电荷（Qg）为64.2nC，结合最大输入电容（Ciss）2826pF @ 15V，这些参数共同决定了快速的开关速度和较低的驱动损耗，使其适用于中等频率的开关应用。其栅源电压（Vgs）可承受±25V的最大值，提供了良好的抗电压尖峰能力。该MOSFET采用经典的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在提供出色散热能力的同时，也便于自动化生产装配。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为1.5W（Ta），确保了在严苛环境下的稳定运行。

凭借其优异的性能组合，DMP3007LK3-13非常适合用于需要高效率、高电流处理能力的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或高端负载开关、电池供电设备的电源路径管理、电机驱动控制电路以及各类工业电源系统中的功率分配单元。对于需要可靠供应链保障的设计项目，通过正规的DIODES授权代理进行采购，是确保获得原装正品和完整技术支持的重要途径。

• 型号:DMP3007LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 18.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2826 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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