DMP3007LSS-13

DMP3007LSS-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺技术制造。该器件采用紧凑的8引脚SO封装，专为高密度表面贴装应用而优化，其核心设计旨在实现极低的导通损耗和高效的开关性能。其沟道结构经过精心设计，在保证高电流处理能力的同时，有效控制了器件的寄生电容，为需要快速切换和高效率的电源管理电路提供了坚实的基础。

该MOSFET的关键电气性能表现突出，其最大漏源电压(Vdss)为30V，能够安全地应用于常见的12V或24V总线系统中。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值高达14A，展现出强大的电流承载能力。更值得关注的是其极低的导通电阻，在10V驱动电压(Vgs)和17A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为7毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。其阈值电压(Vgs(th))最大值为2.8V，确保了与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）控制信号的兼容性，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，DIODES代理商提供的详细参数显示，该器件在10V Vgs下的最大栅极电荷(Qg)为64.2nC，结合其较低的导通电阻，实现了出色的品质因数(FOM)，这意味着它在开关电源中能同时兼顾低开关损耗和低导通损耗。其输入电容(Ciss)在15V Vds下最大值为2826pF，工程师需要根据此参数合理设计栅极驱动强度以优化开关速度。器件的栅源电压可承受±25V的最大值，提供了较强的抗干扰能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装封装，功率耗散为1.4W，适合在严苛的工业温度环境和空间受限的PCB布局中稳定工作。

基于其优异的性能组合，DMP3007LSS-13非常适合作为负载开关、电源路径管理、电机驱动中的高端开关，或用于DC-DC转换器的同步整流侧。其低导通电阻和高电流能力使其在电池供电设备、服务器电源、电动工具及工业自动化设备的功率分配和保护电路中成为理想选择，能够有效提升终端产品的能效和功率密度。

• 型号:DMP3007LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 14A 8SO T\\u0026R 2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2826 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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