DMP3007SCGQ-7

Diodes Incorporated推出的DMP3007SCGQ-7是一款采用先进沟槽工艺技术制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的V-DFN3333-8（B类）封装，专为在严苛环境下实现高功率密度和卓越的电气性能而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，确保了在30V漏源电压（Vdss）下，能够高效处理高达50A（Tc）的连续漏极电流，同时将功率损耗降至最低。

该MOSFET的关键特性在于其极低的导通电阻（Rds(On)），在10V驱动电压（Vgs）和11.5A测试条件下，其最大值仅为6.8毫欧。这一特性直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在64.2nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化了栅极驱动电路的设计。低导通电阻与快速开关性能的结合，使其成为对效率和动态响应有高要求应用的理想选择。

在接口与参数方面，DMP3007SCGQ-7支持宽范围的栅极驱动电压，其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了设计灵活性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V（@250A），确保了良好的噪声免疫能力和可靠的关断特性。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并符合AEC-Q101标准，满足汽车级应用的可靠性要求。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其稳健的性能和车规级认证，该器件非常适合应用于汽车电子系统中的负载开关、电机驱动控制、电池管理以及电源分配单元。同时，在工业自动化、通信基础设施的电源模块和服务器背板电源管理等领域，其高电流处理能力和出色的热性能也能显著提升系统整体的可靠性和能效。

• 型号:DMP3007SCGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2826 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购DMP3007SCGQ-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。