DMP3010LPSQ-13

DMP3010LPSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造，封装于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装型封装内。该器件专为在有限空间内要求高效率和高电流处理能力的应用而设计，其核心架构优化了载流子迁移与热管理，确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻与高电流承载能力。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至7.5毫欧（@10A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。30V的漏源电压（Vdss）额定值与36A的连续漏极电流（Id）能力使其能够稳健地处理中高功率负载。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V，配合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其易于被标准逻辑电平或微控制器直接驱动，简化了外围电路设计。

在动态性能方面，DIODES芯片代理提供的详细参数显示，该器件在10V Vgs下的栅极电荷（Qg）最大值为126.2nC，输入电容（Ciss）在15V Vds下最大为6234pF。这些参数共同决定了其开关速度与驱动损耗，工程师需在开关频率与效率之间进行权衡设计。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的抗噪能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为2.18W（Ta），结合PowerDI5060-8封装优异的散热特性，能够满足严苛环境下的持续运行需求。

基于上述特性，DMP3010LPSQ-13非常适合应用于空间受限且对效率敏感的场景。其主要应用方向包括但不限于：负载开关、电源管理单元（PMU）、电池保护电路、电机驱动控制以及DC-DC转换器中的同步整流或高侧开关。在便携式设备、分布式电源系统、工业自动化模块及汽车电子辅助系统中，该器件能够有效提升功率密度和整体能效，是工程师实现紧凑、高效电源解决方案的可靠选择。

• 型号:DMP3010LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:126.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6234 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.18W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 现在可以订购DMP3010LPSQ-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。