DMP3017SFG-13

DMP3017SFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为高密度、高效率的电源管理和功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，实现了在极小的占板面积下提供出色的电流处理能力和较低的功率损耗，这对于空间受限的现代电子设备至关重要。

该MOSFET的关键电气性能表现突出。其最大漏源电压（Vdss）为30V，在25°C环境温度下能够持续处理高达11.5A的漏极电流。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压和11.5A电流条件下典型值仅为10毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或数字信号处理器直接驱动，简化了驱动电路设计。其栅极电荷（Qg）最大值仅为41nC，结合较低的输入电容，有助于实现快速的开关速度并降低开关损耗，特别适用于高频开关应用。

在接口与热性能方面，器件采用表面贴装型PowerDI3333-8封装，具有良好的散热能力和机械强度。其最大允许栅源电压（Vgs）为±25V，提供了较高的栅极驱动容限。器件的结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过可靠的DIODES芯片代理渠道，设计工程师仍可获得稳定的供应以支持既有产品的维护与生产。其940mW（Ta）的功率耗散能力需结合有效的PCB散热设计来充分发挥性能。

基于其优异的电气参数和封装特性，DMP3017SFG-13非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑等便携式设备中的负载开关、电源路径管理和电池保护电路；在分布式电源架构中，可用于DC-DC转换器的同步整流或高端开关；此外，在电机驱动、LED照明驱动等需要高效功率控制的领域也能发挥重要作用。其设计旨在帮助工程师实现更紧凑、更高效、更可靠的电源解决方案。

• 型号:DMP3017SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2246 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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