DMP3017SFG-7

Diodes Incorporated推出的DMP3017SFG-7是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件，其核心设计旨在提供高效率的功率开关与控制。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种紧凑的表面贴装型封装，在实现高功率处理能力的同时，优化了PCB板上的空间占用，非常适合高密度电路板设计。其内部架构经过优化，以在给定的封装尺寸内实现极低的导通电阻与快速的开关特性，从而有效降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体能效。

该MOSFET的漏源电压（Vdss）额定值为30V，并在环境温度（Ta）下支持高达11.5A的连续漏极电流，展现出稳健的功率处理能力。其关键性能指标在于其导通电阻，在10V栅源驱动电压（Vgs）和11.5A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为10毫欧。如此低的导通阻抗意味着在导通状态下产生的压降和热量极少，这对于电池供电设备或任何对效率敏感的应用至关重要。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，且标准驱动电压范围在4.5V至10V之间，使其能够与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器良好兼容，简化了驱动电路设计。

在动态性能方面，栅极电荷（Qg）最大值仅为41nC（@10V），结合2246pF（@15V）的输入电容（Ciss），共同决定了其快速的开关速度，有助于减少开关过渡期间的功率损耗。器件允许的栅源电压（Vgs）范围为±25V，提供了足够的驱动裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但对于现有设计的维护或特定批次的采购，用户仍可通过DIODES中国代理等官方渠道咨询库存与替代方案信息。

基于其30V的耐压、11.5A的电流能力以及优异的开关特性，DMP3017SFG-7主要面向需要高效电源管理和功率路径控制的场景。典型应用包括但不限于笔记本电脑、平板电脑和便携式设备中的负载开关、电池保护电路和DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其P沟道特性使其在作为高端开关时，无需额外的电荷泵或自举电路来提供高于电源电压的栅极驱动，从而简化了系统架构，降低了整体成本和复杂度。

• 型号:DMP3017SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2246 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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