DMP3026SFDF-13

DMP3026SFDF-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，专为在有限空间内实现高效率功率切换而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的制造工艺确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性。

该MOSFET的关键性能体现在其卓越的导通特性上。在10V驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值低至19毫欧（在4.5A条件下测量），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Q_g）最大值仅为19.6nC @ 10V，结合适中的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取原装正品和技术支持。

在电气参数方面，DMP3026SFDF-13的额定漏源电压（V_DSS）为30V，在25°C环境温度下连续漏极电流（I_D）可达10.3A，最大功耗为2W。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为3V @ 250A，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境要求。其表面贴装型封装符合现代自动化生产需求，有助于降低组装成本。

凭借其低导通电阻、快速开关能力和紧凑的封装尺寸，这款MOSFET非常适合用于空间受限且对效率要求高的场景。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑等便携式设备中的负载开关和电源管理，以及分布式电源系统中的次级侧同步整流和OR-ing功能。此外，在电机驱动控制、电池保护电路和低压DC-DC转换器等领域，它也能发挥出色的性能。

• 型号:DMP3026SFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1204 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 现在可以订购DMP3026SFDF-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。