DMP3037LSS-13

DMP3037LSS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8引脚SO封装，其核心架构旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。通过优化的单元设计和制造工艺，它在有限的芯片面积内实现了优异的电流处理能力，同时确保了栅极电荷和输入电容等动态参数维持在较低水平，这对于提升整体系统的能效和开关速度至关重要。

在电气特性方面，该MOSFET展现出卓越的性能。其最大漏源电压(Vdss)为30V，连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下可达5.8A，使其能够胜任多种中低功率的开关与控制任务。其导通电阻(Rds(on))在10V栅源电压(Vgs)和7A漏极电流(Id)条件下，最大值仅为32毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.4V，且驱动电压范围宽（最大Rds(on)对应4.5V，最小对应10V），使其既能兼容低电压逻辑电平驱动，也能在标准驱动电压下实现最优性能。此外，其最大栅极电荷(Qg)为19.3nC @ 10V，结合931pF @ 15V的最大输入电容(Ciss)，共同决定了其快速的开关响应能力，有助于减少开关损耗。

该器件设计为表面贴装型，采用标准的8-SO封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。最大功率耗散为1.2W (Ta)，要求在设计散热时予以充分考虑。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理进行采购，以保障产品正品与供货。

基于其30V的耐压、5.8A的电流能力以及优异的开关特性，DMP3037LSS-13非常适用于需要高效电源管理的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电源路径管理、电池反接保护电路，以及电机驱动、LED照明驱动等系统中的功率开关部分。其P沟道特性简化了高端开关的驱动电路设计，在空间和成本敏感的应用中尤其具有优势。

• 型号:DMP3037LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:931 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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