DMP6050SFG-13

DMP6050SFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽技术的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能与热管理能力，其设计旨在满足现代高密度电源和负载管理应用对高效率与高可靠性的严苛要求。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和5A漏极电流条件下，其R_DS(on)最大值仅为50毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷(Q_g)最大值仅为24nC @ 10V，结合较低的输入电容，使得开关速度更快，开关损耗得以有效控制，特别适合高频开关应用。其栅源电压(V_GS)范围宽达±20V，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。

在电气参数方面，DMP6050SFG-13的连续漏极电流(I_D)在环境温度(T_a)下可达4.8A，漏源击穿电压(V_DSS)为60V，能够应对多种中压应用场景。其阈值电压(V_GS(th))最大值为3V @ 250A，确保了在常用逻辑电平（如3.3V或5V）下的可靠完全导通。器件采用表面贴装形式，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，结合PowerDI3333-8封装优良的热性能，使其能够在恶劣环境下稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取此产品。

凭借其高效率、小尺寸和高可靠性的平衡，这款MOSFET非常适合用于空间受限的便携式设备、计算主板、服务器电源中的负载开关、电池保护电路、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及各类需要高效功率切换的工业控制模块。它是工程师在优化系统功率路径设计时的理想选择。

• 型号:DMP6050SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1293 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购DMP6050SFG-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。