DMP3056L-13

DMP3056L-13是一款由Diodes Incorporated设计生产的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术制造。该器件在紧凑的SOT-23封装内集成了高性能的功率开关功能，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和高效的开关性能。其P沟道设计简化了在负载位于电源与开关之间的高边开关应用中的栅极驱动电路，无需额外的电荷泵或电平转换电路，从而有效降低了系统复杂性和成本。

该MOSFET的关键性能体现在其优异的导通电阻特性上，在10V栅源电压（Vgs）和6A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为50毫欧。这一低导通电阻直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率，尤其是在大电流工作状态下。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为11.8nC @ 10V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V，确保了与标准逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，能够被直接驱动。

在电气参数方面，DMP3056L-13具有30V的漏源击穿电压（Vdss），提供了足够的电压裕量，适用于常见的12V或24V总线系统。其在环境温度（Ta）下的连续漏极电流（Id）额定值为4.3A，峰值电流处理能力更强。器件支持高达±25V的栅源电压，增强了驱动电路的鲁棒性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。表面贴装的SOT-23封装使其非常适合于空间受限的便携式设备和高度集成的模块设计。如需获取官方技术支持和正品货源，建议通过DIODES授权代理进行采购。

凭借其紧凑的尺寸、高效的性能和易于驱动的特性，这款MOSFET非常适合用于各种电源管理场景。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的负载开关、电源路径管理和电池保护电路。此外，它也广泛应用于DC-DC转换器中的同步整流或高边开关、电机驱动控制、便携式设备中的功率分配，以及需要高效、小型化功率开关解决方案的各类消费电子和工业控制产品中。

• 型号:DMP3056L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:642 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.38W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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