DMP4025LSSQ-13

DMP4025LSSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽工艺制造，封装于紧凑的8引脚SO封装内。该器件设计用于在严苛的汽车电子环境中提供高可靠性及高效率的功率开关解决方案，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，旨在降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该MOSFET具备40V的漏源击穿电压(Vdss)和6A的连续漏极电流(Id)能力，为12V或24V车载电源系统的负载开关、电机驱动及电源路径管理等应用提供了充足的电压和电流裕量。其导通电阻(Rds(on))在Vgs=10V、Id=3A的条件下典型值低至25mΩ，这一特性确保了在导通状态下极低的功率耗散，有助于减少热设计压力并提升系统可靠性。栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.8V，结合宽泛的栅源电压(Vgs)工作范围（±20V），使其能够与多种逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动芯片直接兼容，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，DMP4025LSSQ-13拥有优化的栅极电荷(Qg)特性，在Vgs=10V时最大值为33.7nC，较低的Qg有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的损耗，尤其适用于高频开关应用。其输入电容(Ciss)在Vds=20V时最大值为1640pF，与Qg参数共同决定了器件的开关速度与驱动需求。器件支持表面贴装(SMT)工艺，采用8-SO封装，具有良好的散热性能和自动化生产兼容性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，完全满足汽车级应用对极端温度环境下的稳定性要求，最大功率耗散为1.52W。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品、设计资源及本地化服务。

凭借其稳健的性能参数，该器件非常适合应用于汽车电子领域，例如车身控制模块(BCM)中的LED照明驱动、车窗升降器、座椅调节电机等负载的开关控制，以及电池管理系统(BMS)中的放电通路保护。此外，在工业电源、低压DC-DC转换器的同步整流或负载开关电路中，其低导通电阻和快速开关特性也能有效提升系统效率与功率密度。

• 型号:DMP4025LSSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.52W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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