DMP4025SFGQ-13

DMP4025SFGQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种紧凑型表面贴装封装，在提供高效散热能力的同时，显著节省了PCB板空间，非常适合于空间受限的现代电子设备。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达40V，确保了在常见12V或24V总线系统中的可靠工作裕量。其关键特性在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压（Vgs）和3A漏极电流（Id）条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为25毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.8V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围驱动电路设计。

在动态性能方面，DIODES中国代理提供的技术资料显示，DMP4025SFGQ-13在10V Vgs下的总栅极电荷（Qg）最大值为33.7nC，结合适中的输入电容（Ciss），共同实现了快速的开关转换，有助于降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。其栅源电压耐受范围达±20V，提供了较强的抗栅极电压过冲能力。器件的工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，结合其符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列认证，使其能够应对严苛的工业与汽车环境挑战。

凭借40V的耐压、7.2A的连续电流能力以及优异的Rds(on)与Qg性能平衡，DMP4025SFGQ-13非常适合用于负载开关、电源管理模块中的高侧开关、电机驱动中的预驱动级以及电池保护电路。在汽车电子领域，如车身控制模块（BCM）、LED照明驱动及信息娱乐系统的电源分配中，其AEC-Q101认证确保了长期可靠性与稳定性。其表面贴装形式和优化的热性能也使其成为便携式设备、分布式电源架构和服务器主板中空间与效率关键型设计的理想选择。

• 型号:DMP4025SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1643 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:810mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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