DMP4050SSS-13

DMP4050SSS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的8引脚SO封装，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其P沟道架构简化了栅极驱动电路，在需要由高于负载的电压直接控制开关的应用中，例如负载开关或高边驱动，无需额外的电荷泵或电平移位电路，从而有效减少了系统复杂性和元件数量。

该MOSFET的关键性能参数体现了其高效能特性。在V_GS为10V的条件下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值低至50mΩ，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。同时，其最大栅极电荷（Q_g）仅为13.9nC，结合较低的输入电容（C_iss），确保了快速的开关切换速度，有助于减少开关损耗，特别适用于高频开关应用。器件具备40V的漏源击穿电压（V_DSS）和4.4A的连续漏极电流能力，提供了稳健的功率处理基础。

在接口与参数方面，DMP4050SSS-13的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为4.5V至10V，且栅源电压（V_GS）可承受±20V，增强了抗干扰能力和设计灵活性。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为3V，保证了与常见逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，便于直接驱动。表面贴装的8-SO封装形式使其非常适合自动化生产，并满足对PCB空间有严格要求的紧凑型设计。其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

基于其性能组合，DMP4050SSS-13非常适合应用于多种中低功率场景。它常被用作电源管理电路中的负载开关，用于控制子系统电源的通断，实现节能与时序管理。在电机驱动、电磁阀控制等工业控制领域，其高边开关能力简化了驱动设计。此外，在DC-DC转换器的同步整流侧、电池供电设备的功率路径管理，以及各类消费电子和通信设备的电源分配单元中，都能发挥其高效、紧凑的优势。

• 型号:DMP4050SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:674 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 现在可以订购DMP4050SSS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。