DMP4065SQ-13

DMP4065SQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的P沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术构建，其核心设计旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其结构优化了电荷载流子的迁移路径，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能，为空间受限的现代电子设计提供了高效的功率开关解决方案。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其最大漏源电压额定值为40V，能够适应多种中低压应用环境。在25°C环境温度下，其连续漏极电流可达2.4A，提供了可观的电流处理能力。其导通电阻表现尤为出色，在10V栅源驱动电压和4.2A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为80毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。此外，其栅极阈值电压最大值为3V，与标准逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。

在接口与关键参数方面，DMP4065SQ-13的栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值仅为12.2nC，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗并实现更高的开关频率。其输入电容（Ciss）在20V漏源电压下最大值为587pF，结合低栅极电荷，共同确保了快速的开关瞬态响应。器件允许的栅源电压范围为±20V，提供了足够的驱动裕量和可靠性保障。其最大功耗为720mW，采用标准的SOT-23表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取此型号产品。

凭借其综合性能，DMP4065SQ-13非常适合应用于对空间和效率有严格要求的领域。它常被用于负载开关、电源管理电路中的功率路径控制，以及电池供电设备的反向电流保护。在DC-DC转换器、电机驱动预驱动级、便携式设备及消费类电子产品中，该器件都能作为高效的功率开关元件，有效管理功率分配并延长电池续航时间。

• 型号:DMP4065SQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 4.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:587 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:720mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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